O przedmiocie

Konfiguracja IGBT: Dual
Prąd ciągły kolektora: 916A
Prąd kolektora DC: 916A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on): 1.8V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter: 1.8V
Straty mocy Pd: -
Rozproszenie mocy: -
Temperatura robocza, maks.: 175°C
Temperatura złącza Tj, maks.: 175°C
Rodzaj obudowy tranzystora: SEMiX 4s
Zakończenie IGBT: Stud
Maks. napięcie kolektor-emiter: 1.2kV
Technologia IGBT: IGBT 4 [Trench]
Montaż tranzystora: Panel

Stan Bardzo dobry
Kod producenta SEMIKRON SEMIX604GB12E4S
Zgłoś naruszenie zasad
Oferta: ce7b92e0-0054-4dd7-bfd0-4e3dc4f1ab74

Podobne wyszukiwania