- Stan: Bardzo dobry
- Typ pamięci: DDR4
- Pojemność całkowita: 4 GB
- Stan opakowania: zastępcze
- Cechy dodatkowe: pozłacane wtyki
- Typ złącza: SO-DIMM
- Taktowanie szyny pamięci (MHz): 3200
- Producent: Samsung
- Pojemność pojedynczego modułu: 4 GB
- Liczba modułów: 1
- Opóźnienia (Cycle Latency): 22
- Napięcie: 1.2 V
- Kod producenta: M471A5244CB0-CWE
- Stan: Bardzo dobry
- Typ pamięci: DDR4
- Pojemność całkowita: 4 GB
- Stan opakowania: zastępcze
- Cechy dodatkowe: pozłacane wtyki
- Typ złącza: SO-DIMM
- Taktowanie szyny pamięci (MHz): 3200
- Producent: Samsung
- Pojemność pojedynczego modułu: 4 GB
- Liczba modułów: 1
- Opóźnienia (Cycle Latency): 22
- Napięcie: 1.2 V
- Kod producenta: M471A5244CB0-CWE