- Stan: Bardzo dobry
- Typ pamięci: DDR3
- Pojemność całkowita: 4 GB
- Producent: Samsung
- Cechy dodatkowe: pozłacane wtyki
- Pojemność pojedynczego modułu: 2 GB
- Taktowanie szyny pamięci (MHz): 1333
- Typ złącza: DIMM
- Liczba modułów: 2
- Kod producenta: M47B5673EH-1-CH9
- Model: M47B5673EH-1-CH9
- Napięcie: 1.50 V
- Opóźnienia (Cycle Latency): 9
- Stan: Bardzo dobry
- Typ pamięci: DDR3
- Pojemność całkowita: 4 GB
- Producent: Samsung
- Cechy dodatkowe: pozłacane wtyki
- Pojemność pojedynczego modułu: 2 GB
- Taktowanie szyny pamięci (MHz): 1333
- Typ złącza: DIMM
- Liczba modułów: 2
- Kod producenta: M47B5673EH-1-CH9
- Model: M47B5673EH-1-CH9
- Napięcie: 1.50 V
- Opóźnienia (Cycle Latency): 9