SEMIKRON SKM 50GB 123D to wysokowydajny moduł IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) w konfiguracji półmostkowej, należący do popularnej rodziny SEMiX® firmy Semikron. Ten moduł został zaprojektowany do szerokiego zakresu aplikacji energoelektronicznych, oferując doskonałe parametry przełączania, niskie straty mocy i wysoką niezawodność. Jego kompaktowa i solidna konstrukcja ułatwia integrację w różnorodnych systemach napędowych i konwersji energii.

Dane techniczne:

• Producent: Semikron

• Seria: SEMiX®

• Model: SKM 50GB 123D

• Typ modułu: IGBT Half-Bridge (półmostkowy)

• Napięcie blokowania: 1200 V

• Prąd znamionowy (Tc = 80°C): 50 A

• Prąd szczytowy (t_p = 1 ms): Zależny od warunków pracy (proszę sprawdzić dokumentację)

• V_CE(sat) (przy Tj = 25°C, I_C = 50 A): Typowo około 2.1 V (proszę sprawdzić dokumentację)

• E_on (przy Tj = 125°C, V_GE = ±15 V, I_C = 50 A): Typowo około 2.5 mJ (proszę sprawdzić dokumentację)

• E_off (przy Tj = 125°C, V_GE = ±15 V, I_C = 50 A): Typowo około 4.5 mJ (proszę sprawdzić dokumentację)

• Zintegrowana dioda swobodna: Tak, szybka i miękka dioda odzyskiwania

• Temperatura złącza: -40 °C do +150 °C

• Temperatura obudowy: -40 °C do +125 °C

• Izolacja elektryczna: 2500 V AC (RMS, 1 minuta)

• Obudowa: SEMiX® (standardowa, kompaktowa obudowa Semikron)

• Przyłącza: Zaciski śrubowe