TRANZYSTOR MOSFET "STP33N60M2", kanał-N, MDmesh II Plus™ w obudowie TO-220

SPECYFIKACJA:

• Producent: STMicroelectronics

• Typ tranzystora: N-MOSFET

• Technologia: MDmesh™ M2

• Polaryzacja: unipolarny

• Napięcie dren-źródło: 600V

• Prąd drenu: 26A (przy 25st.C)

• Prąd drenu w impulsie: 104A

• Moc rozpraszana: 190W

• Obudowa: TO220-3

• Napięcie bramka-źródło: ±25V

• Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω

• Montaż: THT

• Ładunek bramki: 45,5nC

• Rodzaj kanału: "N" wzbogacany

Tranzystor stosowany w impulsowych zasilaczach komputerowych w parach jako klucze przełączające. Mogą również służyć do budowy indywidualnych projektów.

Możliwość wysyłki najtańszym listem (przesyłka nierejestrowana) po uprzednim kontakcie przez Czat Lokalnie.