Tranzystory

BF900 - 2 sztuki

BF960 - 4 sztuki

Nieużywane

Cena za sztukę

BF 900 dane techniczne:

• Typ tranzystora: N-Channel Dual Gate MOSFET

• Maksymalne napięcie dren-źródło (VDS): 20 V

• Maksymalne napięcie bramka-źródło (VGS): 30 V

• Maksymalny prąd drenu (ID): 50 mA

• Rezystancja w stanie przewodzenia (RDS(on)): 100 Ω

• Maksymalna moc strat (PD): 150 mW

• Pojemność dren-źródło: 4 pF

• Temperatura pracy złącza: do

Ten tranzystor jest często używany w aplikacjach RF, takich jak wzmacniacze wysokiej częstotliwości i układy wejściowe odbiorników radiowych 

BF 960 dane techniczne:

• Typ: N-Channel Dual Gate MOSFET (depletion mode)

• Obudowa: plastikowa, podobna do TO-120 (DIN 41 867)

• Zakres częstotliwości pracy: 200 MHz – 1 GHz

• Zastosowanie: wejściowe stopnie UHF, mieszacze, wzmacniacze o niskim poziomie szumów

• Zintegrowane diody ochronne bramek

• Napięcie dren-źródło (V_DS max): ok. 25 V

• Prąd drenu (I_D max): ok. 25 mA

• Maksymalna moc strat (P_tot): ok. 300 mW

• Temperatura pracy: -55°C do +150°C