Mitsubishi Electric QM50DY-HB (BKO-C2105H05) to zaawansowany moduł mocy IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), zaprojektowany do zastosowań w aplikacjach o wysokiej mocy, takich jak przemysłowe układy napędowe, systemy zasilania oraz falowniki. Moduł ten łączy w sobie zalety szybkiej pracy tranzystorów bipolarnych z właściwościami łatwego sterowania MOSFET-ów, co sprawia, że jest idealnym rozwiązaniem dla aplikacji, które wymagają wydajności, niezawodności i efektywności energetycznej.

Dane Techniczne:

• Model: Mitsubishi Electric QM50DY-HB BKO-C2105H05

• Typ urządzenia: Moduł mocy IGBT

• Konfiguracja: Dual IGBT (podwójny tranzystor IGBT)

• Maksymalna wartość prądu: 50 A

• Napięcie kolektora-emiter: 600 V

• Napięcie bramki-emiter: ±20 V

• Moc strat: 290 W (typowa)

• Izolacja elektryczna: 2500 V AC (izolacja pomiędzy obudową a złączem)

• Rezystancja cieplna: 0.35°C/W (od złącza do obudowy)

• Montaż: Montaż na radiatorze z odpowiednią izolacją termiczną

• Obudowa: Standardowa obudowa modułu mocy o wysokiej wytrzymałości mechanicznej

• Producent: Mitsubishi Electric

Zastosowanie:

Mitsubishi QM50DY-HB to moduł IGBT dedykowany do aplikacji przemysłowych wymagających wysokiej mocy i niezawodności, takich jak:

• Przemysłowe układy napędowe – zapewnia efektywne sterowanie silnikami o dużej mocy w systemach automatyki przemysłowej.

• Falowniki i przekształtniki mocy – optymalne rozwiązanie do regulacji prędkości i momentu obrotowego silników w aplikacjach przemysłowych.

• Zasilacze UPS i systemy zasilania awaryjnego – zapewnia stabilną pracę i szybkie przełączanie w systemach zasilania rezerwowego.

• Systemy HVAC – stosowany w aplikacjach klimatyzacyjnych i wentylacyjnych do sterowania wydajnością sprężarek i innych elementów systemu.

• Przemysłowe systemy grzewcze – używany do kontrolowania systemów grzewczych o dużym poborze energii, zapewniając ich efektywność energetyczną.