TOSHIBA MG100J2YS50 to wysokowydajny moduł IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) w konfiguracji półmostkowej, zaprojektowany do szerokiego zakresu zastosowań w energoelektronice przemysłowej. Ten moduł charakteryzuje się niskimi stratami mocy, szybkim przełączaniem i wysoką niezawodnością, co czyni go idealnym wyborem dla wymagających aplikacji napędowych i konwersji energii.

Dane techniczne:

• Producent: Toshiba

• Typ modułu: IGBT Half-Bridge (półmostkowy)

• Napięcie blokowania: 600 V

• Prąd znamionowy (Tc = 25°C): 100 A

• Prąd znamionowy (Tc = 100°C): Zależny od warunków pracy (proszę sprawdzić dokumentację)

• V_CE(sat) (przy Tj = 25°C, I_C = 100 A): Typowo około 1.7 V (proszę sprawdzić dokumentację)

• E_on (przy Tj = 125°C, V_GE = ±15 V, I_C = 100 A): Typowo około 2.0 mJ (proszę sprawdzić dokumentację)

• E_off (przy Tj = 125°C, V_GE = ±15 V, I_C = 100 A): Typowo około 4.0 mJ (proszę sprawdzić dokumentację)

• Zintegrowana dioda swobodna: Tak, szybka i miękka dioda odzyskiwania (FRD - Fast Recovery Diode)

• Temperatura złącza: -40 °C do +150 °C

• Temperatura obudowy: -40 °C do +125 °C