• Model: EUPEC BSM25GD120DN2

• Typ: Moduł IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• Konfiguracja: Półmostkowa

• Napięcie kolektor-emiter (Vces): 1200 V

• Prąd kolektora (Ic): 25 A

• Straty przewodzenia (Vce(sat)): 2.2 V

• Straty przełączania (Eon/Eoff): 4.5 mJ / 3.2 mJ

• Temperatura pracy (Tj): -40°C do +150°C

• Obudowa: Standardowy moduł przemysłowy

• Izolacja: VDE 0110, część 1

• Certyfikaty: CE, UL

Opis Produktu:

EUPEC BSM25GD120DN2 to wysokowydajny moduł IGBT zaprojektowany do zastosowań przemysłowych wymagających niezawodności, wydajności i precyzyjnej kontroli. Moduł ten oferuje doskonałą kombinację niskich strat przewodzenia i przełączania, co przekłada się na wysoką sprawność energetyczną i minimalne wydzielanie ciepła. Wysokie napięcie kolektor-emiter (1200 V) oraz prąd kolektora (25 A) umożliwiają pracę z dużymi obciążeniami, co czyni ten moduł idealnym do zastosowań w energoelektronice, napędach elektrycznych i innych wymagających aplikacjach.