Sprzedam

Zestaw: - możliwość sprzedaży na części

CPU i3-2100 - LGA1155
Mobo: Foxconn H61MXT1/F2/-S/-V
RAM DDR3: Kingston KHX1600C9D3X2K2/8GX

Intel Core i3-2100 --------------------------------------------------------

[Informacje ogólne]
Nazwa procesora: Intel Core i3-2100
Oryginalna częstotliwość procesora: 3100.0 MHz
Original Processor Frequency [MHz]: 3100
CPU ID: 000206A7
Nazwa marki procesora: Intel(R) Core(TM) i3-2100 CPU @ 3.10GHz
Dostawca procesora: GenuineIntel
Krok procesora: Q0
Nazwa kodowa procesora: Sandy Bridge-DT
Technologia procesora: 32 nm
CPU S-Spec: SR05C
Moc termiczna procesora (TDP): 65.0 W
Prąd termiczny rdzeni IA procesora (TDC): 97.5 A
Prąd termiczny rdzeni GT procesora (TDC): 32.5 A
Limity mocy procesora (maks.): Moc = 84.00 W, Czas = 1.00 sec
Limit mocy procesora 1 (długi czas trwania)/Podstawowa moc procesora (PBP): Moc = 65.00 W, Czas = 1.00 sec [Zablokowany]
Limit mocy procesora 2 (krótki czas trwania)/Maksymalna moc turbo (MTP): Moc = 81.00 W, Czas = Nieograniczony [Zablokowany]
Maks. procesor Temperatura złącza (Tj,max): 102 °C
Typ procesora: Jednostka produkcyjna
Platforma procesora: Socket H2 (LGA1155)
Wersja aktualizacji mikrokodu: 2F
Liczba rdzeni procesora: 2
Liczba procesorów logicznych: 4
[Punkty pracy]
LFM procesora (minimum): 1600.0 MHz = 16 x 100.0 MHz
HFM procesora (baza): 3100.0 MHz = 31 x 100.0 MHz
Maks. turbodoładowanie procesora: 3100.0 MHz = 31 x 100.0 MHz [Locked]
Limity mnożnika turbo: 31x (1-4c)
Aktualny procesor: 3093.3 MHz = 31 x 99.8 MHz @ 1.1609 V
Typ magistrali procesora: Intel Direct Media Interface (DMI) v2.0
Maksymalna prędkość łącza DMI: 5.0 GT/s
Aktualna prędkość łącza DMI: 5.0 GT/s
[Pamięć podręczna i TLB]
Pamięć podręczna L1: Instruction: 2 x 32 KBytes, Data: 2 x 32 KBytes
Pamięć podręczna L2: Integrated: 2 x 256 KBytes
Pamięć podręczna L3: 3 MBytes
Instruction TLB: 2MB/4MB Pages, Fully associative, 8 entries
Data TLB: 4 KB Pages, 4-way set associative, 64 entries

Płyta główna]
-------------------------------------------------------------
Model płyty głównej: Foxconn H61MXT1/F2/-S/-V
Chipset płyty głównej: Intel H61 (Cougar Point)
Gniazda płyt głównych: 3xPCI Express x1, 1xPCI Express x16
Obsługiwana wersja PCI Express: v2.0
Obsługiwana wersja USB: v2.0
[PCH Features]
USB Port Count: 10 ports
RAID Capability: Nieobsługiwany
SATA Ports 2 and 3: Nieobsługiwany
SATA Port 1 6 Gb/s: Nieobsługiwany
SATA Port 0 6 Gb/s: Nieobsługiwany
PCI Interface: Nieobsługiwany
PCI Express Ports 5 and 6: Utrzymany
USB Redirect (USBr): Nieobsługiwany
Intel Anti-Theft Technology: Utrzymany
PCI Express Ports 7 and 8: Nieobsługiwany
PCH Integrated Graphics Support: Utrzymany
Data Center Manageability Interface (DCMI): Utrzymany
Node Manager: Utrzymany
[BIOS]
Producent BIOS-u: American Megatrends
Data BIOS: 03/23/2011
Wersja BIOS-u: A92PKS02
UEFI BIOS: Zdolny
Układ Super-IO/LPC: ITE IT8728F
Układ Trusted Platform Module (TPM): Not Found

Row: 0 [A1_BANK0/A1_DIMM0] - 4 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM Kingston KHX1600C9D3/4GX

[Ogólne informacje o module]
Numer modułu: 0
Rozmiar modułu: 4 GB
Typ pamięci: DDR3 SDRAM
Typ modułu: Unbuffered DIMM (UDIMM)
Szybkość pamięci: 800.0 MHz (DDR3-1600 / PC3-12800)
Producent modułu: Kingston
Numer części modułu: KHX1600C9D3/4GX
Wersja modułu: 0
Numer seryjny modułu: 3328650941 (BD2E67C6)
Data produkcji modułu: Rok: 2012, Tydzień: 8
Lokalizacja produkcji modułu: 4
Producent pamięci SDRAM: SK Hynix
Sprawdzanie/korekta błędów: Nic
[Charakterystyka modułu]
Bity adresu wiersza: 15
Bity adresu kolumny: 10
Number Of Banks: 8
Gęstość modułu: 2048 Mb
Liczba stopni: 2
Szerokość urządzenia: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Napięcie znamionowe modułu (VDD): 1.5 V
[Module timing]
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.500 ns
Obsługiwane opóźnienia CAS#: 6, 7, 8, 9
Minimalny czas opóźnienia CAS# (tAAmin): 13.125 ns
Minimalne opóźnienie RAS# do CAS# (tRCDmin): 13.125 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 36.000 ns
Obsługiwane taktowanie modułu przy 666.7 MHz: 9-9-9-24
Obsługiwane taktowanie modułu przy 533.3 MHz: 7-7-7-20
Obsługiwane taktowanie modułu przy 400.0 MHz: 6-6-6-15
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 49.125 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns

Row: 2 [A1_BANK2/A1_DIMM2] - 4 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM Kingston KHX1600C9D3/4GX

[Ogólne informacje o module]
Numer modułu: 2
Rozmiar modułu: 4 GB
Typ pamięci: DDR3 SDRAM
Typ modułu: Unbuffered DIMM (UDIMM)
Szybkość pamięci: 800.0 MHz (DDR3-1600 / PC3-12800)
Producent modułu: Kingston
Numer części modułu: KHX1600C9D3/4GX
Wersja modułu: 0
Numer seryjny modułu: 2014391997 (BD2E1178)
Data produkcji modułu: Rok: 2012, Tydzień: 8
Lokalizacja produkcji modułu: 4
Producent pamięci SDRAM: SK Hynix
Sprawdzanie/korekta błędów: Nic
[Charakterystyka modułu]
Bity adresu wiersza: 15
Bity adresu kolumny: 10
Number Of Banks: 8
Gęstość modułu: 2048 Mb
Liczba stopni: 2
Szerokość urządzenia: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Napięcie znamionowe modułu (VDD): 1.5 V
[Module timing]
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKmin): 1.500 ns
Obsługiwane opóźnienia CAS#: 6, 7, 8, 9
Minimalny czas opóźnienia CAS# (tAAmin): 13.125 ns
Minimalne opóźnienie RAS# do CAS# (tRCDmin): 13.125 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.125 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 36.000 ns
Obsługiwane taktowanie modułu przy 666.7 MHz: 9-9-9-24
Obsługiwane taktowanie modułu przy 533.3 MHz: 7-7-7-20
Obsługiwane taktowanie modułu przy 400.0 MHz: 6-6-6-15
Minimum Write Recovery Time (tWRmin): 15.000 ns
Minimum Row Active to Row Active Delay (tRRDmin): 6.000 ns
Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 49.125 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFCmin): 160.000 ns
Minimum Internal Write to Read Command Delay (tWTRmin): 7.500 ns
Minimum Internal Read to Precharge Command Delay (tRTPmin): 7.500 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 30.000 ns